ش | ی | د | س | چ | پ | ج |
1 | ||||||
2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 |
9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 |
16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 |
23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 |
30 |
طراحی تقویت کننده مایکروویو باند X
در این پروژه به طراحی و تحلیل تقویت کننده ترانزیستوری باند X با فرکانس مرکزی 10GHz پرداخته میشود. بدین منظور از ترانزستور اثر میدان (FET) FHX35LG استفاده خواهد شد. پارامترهای پراکندگی ترانزیستور فوق در فایلی با پسوند S2P موجود بوده که بازه فرکانسی 0.1GHz<f<20GHz را شامل میشود.
ادامه مطلب ...
طراحی تقویت کننده مایکروویو دو طبقه پهن باند کم نویز X
در این جا طراحی و تحلیل تقویت کننده ترانزیستوری دو طبقه پهن باند تشریح میشود. بدین منظور از دو ترانزستور استفاده خواهد شد. محدوده فرکانسی 8 تا 12 گیگاهرتز فرض می شود. تقویت کننده علاوه بر پهنای باند فرکانسی حدود 4 گیگاهرتزی، دارای عدد نویز پایین (Low Noise Amplifier) می باشد. ادامه مطلب ...